STP150NF55

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N Ch 55V 0.005 OHM 120A
Date Sheet

Lagernummer 390

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Корпус / Кейс：TO-220-3
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Время отключения：140 ns
Максимальная мощность рассеяния：300W Tc
Количество элементов：1
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A Tc
Серия：STripFET™ II
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：6MOhm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Основной номер части：STP150
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：300W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：35 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6m Ω @ 60A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4400pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：190nC @ 10V
Время подъема：180ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：80 ns
Непрерывный ток стока (ID)：120A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：55V
Максимальный импульсный ток вывода：480A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：850 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Корпусировка на излучение：No
Без свинца：Lead Free

Со склада 390

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STP150NF55 STMicroelectronics
Запрос Со склада 390
AUIRF1010Z Infineon Technologies
от$0.922 Со склада 65252
STP200NF04 STMicroelectronics
от$2.431596 Со склада 5000
STP110N55F6 STMicroelectronics
от$2.397404 Со склада 7000
STP100NF04 STMicroelectronics
Запрос Со склада 38

Телефон

STP150NF55