STP110N55F6

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-Ch 55V 4.3mOhm 55V STripFET VI
Date Sheet

Lagernummer 7000

1+： $2.39740
10+： $2.26170
100+： $2.13368
500+： $2.01291
1000+： $1.89897

Zwischensummenbetrag $2.39740

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：110A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：150W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：DeepGATE™, STripFET™ VI
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：Not Applicable
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Основной номер части：STP110
Конфигурация：Single
Распад мощности：150W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.2m Ω @ 60A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8350pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：120nC @ 10V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：110A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：55V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 7000

1+： $2.39740
10+： $2.26170
100+： $2.13368
500+： $2.01291
1000+： $1.89897

Итого $2.39740

аналогичные продукты

STP110N55F6 STMicroelectronics
от$2.397404 Со склада 7000
IPP057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
от$2.108216 Со склада 500
IPP039N04LGXKSA1 Infineon Technologies
от$1.254633 Со склада 158
IPP052N06L3GXKSA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 1844

Телефон

STP110N55F6