Изображение служит лишь для справки
NZT6714
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-3
- Trans GP BJT NPN 30V 2A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet
Lagernummer 300000
- 1+: $0.44921
- 10+: $0.42378
- 100+: $0.39979
- 500+: $0.37716
- 1000+: $0.35581
Zwischensummenbetrag $0.44921
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-261-3
- Количество контактов:4
- Вес:188mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:500mV
- Максимальная мощность рассеяния:1W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:50
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:4
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:30V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Моментальный ток:2A
- Основной номер части:NZT6714
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:1W
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):30V
- Максимальный ток сбора:2A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:50 @ 1A 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 100mA, 1A
- Максимальное напряжение разрушения:30V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):40V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 300000
- 1+: $0.44921
- 10+: $0.42378
- 100+: $0.39979
- 500+: $0.37716
- 1000+: $0.35581
Итого $0.44921
аналогичные продукты










