Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
NZT6715
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet
Lagernummer 300000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
- Срок поставки от производителя：6 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Количество контактов：4
- Вес：188mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：40V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Максимальная мощность рассеяния：1W
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：50
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：40V
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Моментальный ток：1.5A
- Основной номер части：NZT6715
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：1W
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40V
- Максимальный ток сбора：1.5A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 1A 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 100mA, 1A
- Максимальное напряжение разрушения：40V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 300000
Итого $0.00000
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
