Изображение служит лишь для справки
KST43MTF
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- In a Pack of 200, ON Semi KST43MTF NPN Transistor, 500 mA, 200 V, 3-Pin SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 489
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов:3
- Вес:30mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:200V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:500mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):50MHz
- Максимальная мощность рассеяния:350mW
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:40
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2002
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:200V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Моментальный ток:500mA
- Частота:50MHz
- Основной номер части:KST43
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:350mW
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):200V
- Максимальный ток сбора:500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:40 @ 30mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 2mA, 20mA
- Частота перехода:50MHz
- Максимальное напряжение разрушения:200V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):200V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
- Высота:970μm
- Длина:2.9mm
- Ширина:1.3mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 489
Итого $0.00000
аналогичные продукты










