Изображение служит лишь для справки
FJV42MTF
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 2990
- 1+: $0.22722
- 10+: $0.21436
- 100+: $0.20222
- 500+: $0.19078
- 1000+: $0.17998
Zwischensummenbetrag $0.22722
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов:3
- Вес:30mg
- Диэлектрический пробой напряжение:350V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:500mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):50MHz
- Максимальная мощность рассеяния:350mW
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:25
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2013
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Частота:50MHz
- Основной номер части:FJV42
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:350mW
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):350V
- Максимальный ток сбора:500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:40 @ 30mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 2mA, 20mA
- Частота перехода:50MHz
- Максимальное напряжение разрушения:350V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):350V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 2990
- 1+: $0.22722
- 10+: $0.21436
- 100+: $0.20222
- 500+: $0.19078
- 1000+: $0.17998
Итого $0.22722
аналогичные продукты










