FJP13009

Lagernummer 480

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：400V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：6
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：400V
Максимальная потеря мощности：100W
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：12A
Частота：4MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：FJP13009
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：100W
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：4MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：400V
Максимальный ток сбора：12A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：8 @ 5A 5V
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：3V @ 3A, 12A
Частота перехода：4MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：700V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：9V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 480

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FJP13009 ON Semiconductor
Запрос Со склада 480
FJP13009H2TU ON Semiconductor
от$4.168756 Со склада 5000
FJP13007TU ON Semiconductor
от$0.66771 Со склада 534
FJP13007H1TU ON Semiconductor
Запрос Со склада 20

Телефон

FJP13009