Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
SS9012GBU
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS PNP 20V 0.5A TO-92
Date Sheet
Lagernummer 2000
- 1+： $0.06880
- 10+： $0.06491
- 100+： $0.06123
- 500+： $0.05777
- 1000+： $0.05450
Zwischensummenbetrag $0.06880
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов：3
- Вес：179mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：20V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-180mV
- Максимальная мощность рассеяния：625mW
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：64
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2002
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-20V
- Положение терминала：BOTTOM
- Моментальный ток：-500mA
- Основной номер части：SS9012
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：625mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：20V
- Максимальный ток сбора：500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：112 @ 50mA 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 50mA, 500mA
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-40V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
- Высота：4.58mm
- Длина：4.58mm
- Ширина：3.86mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
