SS9012HBU

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TRANS PNP 20V 0.5A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 2000

1+： $0.08567
10+： $0.08082
100+： $0.07624
500+： $0.07193
1000+： $0.06785

Zwischensummenbetrag $0.08567

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов：3
Вес：179mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：20V
Collector-Emitter Saturation Voltage：-180mV
Максимальная мощность рассеяния：625mW
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：64
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-20V
Положение терминала：BOTTOM
Моментальный ток：-500mA
Основной номер части：SS9012
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：625mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：20V
Максимальный ток сбора：500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：144 @ 50mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 50mA, 500mA
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2000

1+： $0.08567
10+： $0.08082
100+： $0.07624
500+： $0.07193
1000+： $0.06785

Итого $0.08567

аналогичные продукты

SS9012HBU ON Semiconductor
от$0.085665 Со склада 2000
SS9012GBU ON Semiconductor
от$0.068803 Со склада 2000
2N3702 ON Semiconductor
от$0.1098675 Со склада 13424
MPS6562 ON Semiconductor
Запрос Со склада 5000

Телефон

SS9012HBU