Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
2SD1759TL
-
ROHM Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS NPN DARL 40V 2A SOT-428
Date Sheet
Lagernummer 479
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Покрытие контактов：Copper, Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：40V
- Максимальная мощность рассеяния：1W
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：1000
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2004
- Код JESD-609：e2
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN COPPER
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Ток постоянного напряжения - номинальный：40V
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：2A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Тип транзистора：NPN - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.5V
- Максимальный ток сбора：2A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1000 @ 500mA 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 1.2mA, 600mA
- Частота - Переход：150MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 479
Итого $0.00000
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
