Изображение служит лишь для справки

2SD1816S-TL-E

Lagernummer 657

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
  • Срок поставки от производителя:2 Weeks
  • Монтаж:Surface Mount
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Количество контактов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Диэлектрический пробой напряжение:100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:400mV
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):130MHz
  • Максимальная мощность рассеяния:1W
  • Количество элементов:1
  • Рабочая температура:150°C TJ
  • Пакетирование:Tape & Reel (TR)
  • Опубликовано:2012
  • Код JESD-609:e6
  • Безоловая кодировка:yes
  • Состояние изделия:Active
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:2
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
  • Код ТН ВЭД:8541.29.00.75
  • Форма вывода:GULL WING
  • Основной номер части:2SD1816
  • Код JESD-30:R-PSSO-G2
  • Конфигурация элемента:Single
  • Сокетная связка:COLLECTOR
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:NPN
  • Тип транзистора:NPN
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):100V
  • Максимальный ток сбора:4A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:140 @ 500mA 5V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):1μA ICBO
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:400mV @ 200mA, 2A
  • Максимальная частота:180MHz
  • Частота перехода:180MHz
  • Частота - Переход:180MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):120V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
  • Высота:2.3mm
  • Длина:6.5mm
  • Ширина:5.5mm
  • Корпусировка на излучение:No
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 657

Итого $0.00000

аналогичные продукты