Изображение служит лишь для справки
2SD1816S-TL-E
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(2 Tab) TP-FA T/R
Date Sheet
Lagernummer 657
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя:2 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:400mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):130MHz
- Максимальная мощность рассеяния:1W
- Количество элементов:1
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2012
- Код JESD-609:e6
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.75
- Форма вывода:GULL WING
- Основной номер части:2SD1816
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента:Single
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):100V
- Максимальный ток сбора:4A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:140 @ 500mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:400mV @ 200mA, 2A
- Максимальная частота:180MHz
- Частота перехода:180MHz
- Частота - Переход:180MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):120V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
- Высота:2.3mm
- Длина:6.5mm
- Ширина:5.5mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 657
Итого $0.00000
аналогичные продукты










