DXT13003DK-13

Diodes Incorporated
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans GP BJT NPN 450V 1.5A 3-Pin TO-252 T/R
Date Sheet

Lagernummer 360000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：450V
Collector-Emitter Saturation Voltage：400mV
Максимальный коллекторный ток (Ic)：1.5A
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：4MHz
Максимальная мощность рассеяния：3.9W
Количество элементов：1
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2014
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Форма вывода：GULL WING
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：1.6W
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：400mV
Максимальный ток сбора：1.5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：16 @ 500mA 2V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 250mA, 1A
Частота перехода：4MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：9V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 360000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

DXT13003DK-13 Diodes Incorporated
Запрос Со склада 360000
2SD1816S-TL-E ON Semiconductor
Запрос Со склада 657
ZXTN04120HKTC Diodes Incorporated
Запрос Со склада 13404
2SD1918TLQ ROHM Semiconductor
Запрос Со склада 2500
DXT13003EK-13 Diodes Incorporated
Запрос Со склада 10000

Телефон

DXT13003DK-13