FJP5027RTU

Lagernummer 50000

1+： $1.35241
10+： $1.27585
100+： $1.20364
500+： $1.13551
1000+： $1.07123

Zwischensummenbetrag $1.35241

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：800V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：15MHz
Максимальная мощность рассеяния：50W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：10
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2003
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：800V
Моментальный ток：3A
Частота：15MHz
Основной номер части：FJP5027
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：50W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：800V
Максимальный ток сбора：3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 200mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA ICBO
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2V @ 300mA, 1.5A
Частота перехода：15MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：1.1kV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7V
Высота：15.7mm
Длина：9.9mm
Ширина：4.5mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 50000

1+： $1.35241
10+： $1.27585
100+： $1.20364
500+： $1.13551
1000+： $1.07123

Итого $1.35241

аналогичные продукты

FJP5027RTU ON Semiconductor
от$1.352405 Со склада 50000
KSC5027OTU ON Semiconductor
от$2.124099 Со склада 13000
BD241CTU ON Semiconductor
от$0.4480686 Со склада 4125
KSC5603DTU ON Semiconductor
от$3.583228 Со склада 58000

Телефон

FJP5027RTU