Изображение служит лишь для справки
BD241CTU
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS NPN 100V 3A TO-220
Date Sheet
Lagernummer 3385
- 1+: $0.39822
- 10+: $0.37568
- 100+: $0.35441
- 500+: $0.33435
- 1000+: $0.31542
Zwischensummenbetrag $0.39822
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Вид крепления:Through Hole
- Монтаж:Through Hole
- Покрытие контактов:Tin
- Количество контактов:3
- Вес:1.8g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:40W
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1.2V
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Минимальная частота работы в герцах:10
- Пакетирование:Tube
- Рабочая температура:150°C TJ
- Опубликовано:2000
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:100V
- Моментальный ток:3A
- Основной номер части:BD241
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:40W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):100V
- Максимальный ток сбора:3A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:25 @ 1A 4V
- Ток - отсечка коллектора (макс):300μA
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.2V @ 600mA, 3A
- Частота перехода:3MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Длина:9.2mm
- Высота:14.2mm
- Ширина:4.5mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Корпусировка на излучение:No
- Без свинца:Lead Free
Со склада 3385
- 1+: $0.39822
- 10+: $0.37568
- 100+: $0.35441
- 500+: $0.33435
- 1000+: $0.31542
Итого $0.39822
аналогичные продукты










