Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
BUL1102EFP
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3 Full Pack
- STMICROELECTRONICS BUL1102EFP Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 450 V, 30 W, 4 A, 20 hFE
Date Sheet
Lagernummer 97
- 1+： $1.93673
- 10+： $1.82710
- 100+： $1.72368
- 500+： $1.62611
- 1000+： $1.53407
Zwischensummenbetrag $1.93673
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：450V
- Максимальная мощность рассеяния：30W
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Основной номер части：BUL1102
- Конфигурация：SINGLE
- Распад мощности：70W
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：30W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：450V
- Максимальный ток сбора：4A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：12 @ 2A 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 400mA, 2A
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：12V
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 97
- 1+： $1.93673
- 10+： $1.82710
- 100+： $1.72368
- 500+： $1.62611
- 1000+： $1.53407
Итого $1.93673
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
