Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 342

  • 1+: $0.93076
  • 10+: $0.87808
  • 100+: $0.82837
  • 500+: $0.78149
  • 1000+: $0.73725

Zwischensummenbetrag $0.93076

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:15 Weeks
  • Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
  • Корпус / Кейс:TO-220-3
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Количество контактов:3
  • Вес:1.8g
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Минимальная частота работы в герцах:20
  • Диэлектрический пробой напряжение:400V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:1.5V
  • Максимальная мощность рассеяния:70W
  • Количество элементов:1
  • Рабочая температура:150°C TJ
  • Пакетирование:Tube
  • Опубликовано:2013
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:yes
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
  • Ток постоянного напряжения - номинальный:400V
  • Моментальный ток:4A
  • Конфигурация элемента:Single
  • Распад мощности:70W
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:NPN
  • Тип транзистора:NPN
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):400V
  • Максимальный ток сбора:4A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:20 @ 800mA 3V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):250μA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.5V @ 1A, 3.5A
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):1.05kV
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO):15V
  • Корпусировка на излучение:No
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 342

  • 1+: $0.93076
  • 10+: $0.87808
  • 100+: $0.82837
  • 500+: $0.78149
  • 1000+: $0.73725

Итого $0.93076

аналогичные продукты

  • FJP5554TU ON Semiconductor

    от$0.930762 Со склада 342

  • FJP5304DTU ON Semiconductor

    от$1.3841838 Со склада 979