Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
SFT1202-E
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 150V
Date Sheet
Lagernummer 7809
- 1+： $0.29037
- 10+： $0.27393
- 100+： $0.25842
- 500+： $0.24380
- 1000+： $0.23000
Zwischensummenbetrag $0.29037
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя：2 Weeks
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：150V
- Максимальная мощность рассеяния：1W
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：200
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2012
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Положение терминала：SINGLE
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Мощность - Макс：1W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：150V
- Максимальный ток сбора：2A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 100mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：165mV @ 100mA, 1A
- Частота перехода：140MHz
- Частота - Переход：140MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：180V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 7809
- 1+： $0.29037
- 10+： $0.27393
- 100+： $0.25842
- 500+： $0.24380
- 1000+： $0.23000
Итого $0.29037
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
