2SD1801S-E

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin(3 Tab) TP Bag
Date Sheet

Lagernummer 13

1+： $0.20632
10+： $0.19464
100+： $0.18362
500+： $0.17323
1000+： $0.16342

Zwischensummenbetrag $0.20632

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Количество контактов：3
Минимальная частота работы в герцах：100
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Максимальная мощность рассеяния：800mW
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2012
Рабочая температура：150°C TJ
Код JESD-609：e6
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Основной номер части：2SD1801
Мощность - Макс：800mW
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：140 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 50mA, 1A
Частота - Переход：150MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 13

1+： $0.20632
10+： $0.19464
100+： $0.18362
500+： $0.17323
1000+： $0.16342

Итого $0.20632

аналогичные продукты

2SD1801S-E ON Semiconductor
от$0.2063168 Со склада 13
2SD1802S-E ON Semiconductor
от$0.219566 Со склада 9817
2SD1802T-E ON Semiconductor
от$0.8837838 Со склада 373
2SD1803T-E ON Semiconductor
от$1.239081 Со склада 480

Телефон

2SD1801S-E