Изображение служит лишь для справки
TIP116G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS PNP DARL 80V 2A TO-220AB
Date Sheet
Lagernummer 29
- 1+: $0.45240
- 10+: $0.42679
- 100+: $0.40263
- 500+: $0.37984
- 1000+: $0.35834
Zwischensummenbetrag $0.45240
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя:2 Weeks
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2.5V
- Максимальная мощность рассеяния:2W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:500
- Рабочая температура:-65°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2007
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-80V
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:-2A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:TIP11*
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:2W
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Тип транзистора:PNP - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):80V
- Максимальный ток сбора:2A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:1000 @ 1A 4V
- Ток - отсечка коллектора (макс):2mA
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:2.5V @ 8mA, 2A
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 29
- 1+: $0.45240
- 10+: $0.42679
- 100+: $0.40263
- 500+: $0.37984
- 1000+: $0.35834
Итого $0.45240










