Изображение служит лишь для справки
TIP117TU
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS PNP DARL 100V 2A TO-220
Date Sheet
Lagernummer 8521
- 1+: $0.57316
- 10+: $0.54072
- 100+: $0.51011
- 500+: $0.48124
- 1000+: $0.45400
Zwischensummenbetrag $0.57316
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Количество контактов:3
- Вес:1.214g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2.5V
- Максимальная мощность рассеяния:2W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:500
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-100V
- Моментальный ток:-2A
- Основной номер части:TIP117
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:2W
- Тип транзистора:PNP - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):100V
- Максимальный ток сбора:2A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:1000 @ 1A 4V
- Ток - отсечка коллектора (макс):2mA
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:2.5V @ 8mA, 2A
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):-100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):-5V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 8521
- 1+: $0.57316
- 10+: $0.54072
- 100+: $0.51011
- 500+: $0.48124
- 1000+: $0.45400
Итого $0.57316










