2SC6017-E

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
Date Sheet

Lagernummer 332

1+： $1.07447
10+： $1.01365
100+： $0.95628
500+： $0.90215
1000+： $0.85108

Zwischensummenbetrag $1.07447

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Collector-Emitter Saturation Voltage：180mV
Максимальный коллекторный ток (Ic)：10A
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：200MHz
Максимальная мощность рассеяния：950mW
Минимальная частота работы в герцах：200
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e6
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Код соответствия REACH：not_compliant
Конфигурация элемента：Single
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：360mV
Максимальный ток сбора：10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：360mV @ 250mA, 5A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 332

1+： $1.07447
10+： $1.01365
100+： $0.95628
500+： $0.90215
1000+： $0.85108

Итого $1.07447

аналогичные продукты

2SC6017-E ON Semiconductor
от$1.0744731 Со склада 332
2SD1802S-E ON Semiconductor
от$0.219566 Со склада 9817
2SD1803T-E ON Semiconductor
от$1.239081 Со склада 480
2SD1801S-E ON Semiconductor
от$0.2063168 Со склада 13

Телефон

2SC6017-E