2SC6017-E

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
Date Sheet

Lagernummer 300

1+： $1.07782
10+： $1.01682
100+： $0.95926
500+： $0.90496
1000+： $0.85374

Zwischensummenbetrag $1.07782

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Collector-Emitter Saturation Voltage：180mV
Максимальный коллекторный ток (Ic)：10A
Минимальная частота работы в герцах：200
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e6
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Максимальная потеря мощности：950mW
Код соответствия REACH：not_compliant
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Продуктивность полосы частот：200MHz
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：360mV
Максимальный ток сбора：10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：360mV @ 250mA, 5A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 300

1+： $1.07782
10+： $1.01682
100+： $0.95926
500+： $0.90496
1000+： $0.85374

Итого $1.07782

аналогичные продукты

2SC6017-E ON Semiconductor
от$1.0778247 Со склада 300
2SD1802S-E ON Semiconductor
от$0.219515 Со склада 9817
2SD1803T-E ON Semiconductor
от$1.242946 Со склада 480
2SD1801S-E ON Semiconductor
от$0.20696 Со склада 7

Телефон

2SC6017-E