Изображение служит лишь для справки
BUL1203E
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- Bipolar Transistors - BJT N Ch 75V 3.5m 120A Pwr MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 11111
- 1+: $1.89477
- 10+: $1.78751
- 100+: $1.68633
- 500+: $1.59088
- 1000+: $1.50083
Zwischensummenbetrag $1.89477
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Количество контактов:3
- Диэлектрический пробой напряжение:550V
- Максимальная мощность рассеяния:100W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:10
- Пакетирование:Tube
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-65°C
- Основной номер части:BUL1203
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:100W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):550V
- Максимальный ток сбора:5A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:9 @ 2A 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100μA
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.5V @ 1A, 3A
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):1.2kV
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):9V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 11111
- 1+: $1.89477
- 10+: $1.78751
- 100+: $1.68633
- 500+: $1.59088
- 1000+: $1.50083
Итого $1.89477
аналогичные продукты










