Изображение служит лишь для справки
BDW94CFP
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3 Full Pack
- Bipolar (Bjt) Single Transistor, Darlington, Pnp, 100 V, 33 W, -12 A, 1000 Rohs Compliant: Yes
Date Sheet
Lagernummer 8000
- 1+: $1.72878
- 10+: $1.63092
- 100+: $1.53861
- 500+: $1.45152
- 1000+: $1.36935
Zwischensummenbetrag $1.72878
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3 Full Pack
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2V
- Максимальная мощность рассеяния:33W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:100
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-100V
- Моментальный ток:-12A
- Основной номер части:BDW94
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:33W
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:PNP - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):100V
- Максимальный ток сбора:12A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:750 @ 5A 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1mA
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 100mA, 10A
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):2.5V
- Максимальное напряжение на выходе:3 V
- Высота:16.4mm
- Длина:10.4mm
- Ширина:4.6mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 8000
- 1+: $1.72878
- 10+: $1.63092
- 100+: $1.53861
- 500+: $1.45152
- 1000+: $1.36935
Итого $1.72878










