STGW15H120DF2

STMicroelectronics
Transistors - IGBTs - Single
TO-247-3
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Date Sheet

Lagernummer 16466

1+： $3.08179
10+： $2.90735
100+： $2.74278
500+： $2.58753
1000+： $2.44106

Zwischensummenbetrag $3.08179

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Срок поставки от производителя：32 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Вес：38.000013g
Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.1V
Условия испытания：600V, 15A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Максимальная потеря мощности：259W
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STGW15
Конфигурация элемента：Single
Входной тип：Standard
Мощность - Макс：259W
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2kV
Максимальный ток сбора：30A
Время обратной рекомпенсации：231 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.6V @ 15V, 15A
Тип ИGBT：Trench Field Stop
Зарядная мощность：67nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：60A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：23ns/111ns
Переключаемый энергопотребление：380μJ (on), 370μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：7V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 16466

1+： $3.08179
10+： $2.90735
100+： $2.74278
500+： $2.58753
1000+： $2.44106

Итого $3.08179

аналогичные продукты

STGW15H120DF2 STMicroelectronics
от$3.081787 Со склада 16466
STGW15M120DF3 STMicroelectronics
от$3.979162 Со склада 496
STGWA15M120DF3 STMicroelectronics
от$4.668993 Со склада 7200
FGH15T120SMD-F155 ON Semiconductor
от$2.911065 Со склада 334
STGWA15H120DF2 STMicroelectronics
от$3.701901 Со склада 28

Телефон

STGW15H120DF2