Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
STGW15M120DF3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - IGBTs - Single
- TO-247-3
- STMICROELECTRONICS STGW15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Date Sheet
Lagernummer 496
- 1+： $3.97916
- 10+： $3.75393
- 100+： $3.54144
- 500+： $3.34098
- 1000+： $3.15187
Zwischensummenbetrag $3.97916
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя：30 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Количество контактов：3
- Вес：38.000013g
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.85V
- Условия испытания：600V, 15A, 22 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：259W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STGW15
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：259W
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2kV
- Максимальный ток сбора：30A
- Время обратной рекомпенсации：270 ns
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.3V @ 15V, 15A
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：226nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：60A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：26ns/122ns
- Переключаемый энергопотребление：550μJ (on), 850μJ (off)
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 496
- 1+： $3.97916
- 10+： $3.75393
- 100+： $3.54144
- 500+： $3.34098
- 1000+： $3.15187
Итого $3.97916
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
