STGP30H60DFB

STMicroelectronics
Transistors - IGBTs - Single
TO-220-3
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
Date Sheet

Lagernummer 1500

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：20 Weeks
Корпус / Кейс：TO-220-3
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Материал элемента транзистора：SILICON
Условия испытания：400V, 30A, 10 Ω, 15V
Количество элементов：1
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Максимальная потеря мощности：260W
Положение терминала：SINGLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STGP30
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Мощность - Макс：260W
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2V
Максимальный ток сбора：60A
Время обратной рекомпенсации：53 ns
Код JEDEC-95：TO-220AB
Время включения：51.1 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 30A
Время выключения (toff)：223 ns
Тип ИGBT：Trench Field Stop
Зарядная мощность：149nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：37ns/146ns
Переключаемый энергопотребление：383μJ (on), 293μJ (off)
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1500

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STGP30H60DFB STMicroelectronics
Запрос Со склада 1500
FGP10N60UNDF ON Semiconductor
Запрос Со склада 100
SGS10N60RUFDTU ON Semiconductor
Запрос Со склада 30000
FGPF10N60UNDF ON Semiconductor
Запрос Со склада 880
STGPL6NC60D STMicroelectronics
Запрос Со склада 32363

Телефон

STGP30H60DFB