Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
FGPF10N60UNDF
-
ON Semiconductor
-
Transistors - IGBTs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- IGBT Transistors 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT
Date Sheet
Lagernummer 880
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя：5 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Количество контактов：3
- Вес：2.27g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 10A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Максимальная потеря мощности：42W
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：ISOLATED
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：42W
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
- Максимальный ток сбора：20A
- Время обратной рекомпенсации：37.7 ns
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Время включения：15.4 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.45V @ 15V, 10A
- Время выключения (toff)：89.3 ns
- Тип ИGBT：NPT
- Зарядная мощность：37nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：30A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：8ns/52.2ns
- Переключаемый энергопотребление：150μJ (on), 50μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：8.5V
- Время падения максимальное (tf)：24.8ns
- Высота：16.07mm
- Длина：10.36mm
- Ширина：4.9mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 880
Итого $0.00000
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
