Главное Discrete Semiconductor Products Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased DTC014EUBTL
Изображение служит лишь для справки
DTC014EUBTL
-
ROHM Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- SC-85
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Date Sheet
Lagernummer 809
- 1+: $0.19366
- 10+: $0.18269
- 100+: $0.17235
- 500+: $0.16260
- 1000+: $0.15339
Zwischensummenbetrag $0.19366
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Корпус / Кейс:SC-85
- Вид крепления:Surface Mount
- Монтаж:Surface Mount
- Количество контактов:3
- Количество элементов:1
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Опубликовано:2015
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Дополнительная Характеристика:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Максимальная потеря мощности:200mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Выводной напряжение:50mV
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):150mV
- Максимальный ток сбора:50mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:35 @ 5mA 10V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:150mV @ 500μA, 5mA
- Максимальная частота:250MHz
- Частота перехода:250MHz
- Максимальное напряжение разрушения:50V
- Частота - Переход:250MHz
- База (R1):10 k Ω
- Прямоходящий ток коллектора:100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2):10 k Ω
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Корпусировка на излучение:No
- Без свинца:Lead Free
Со склада 809
- 1+: $0.19366
- 10+: $0.18269
- 100+: $0.17235
- 500+: $0.16260
- 1000+: $0.15339
Итого $0.19366
аналогичные продукты










