FJV4110RMTF

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Date Sheet

Lagernummer 8500

1+： $0.06887
10+： $0.06497
100+： $0.06129
500+： $0.05782
1000+： $0.05455

Zwischensummenbetrag $0.06887

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：SOT-23-3 (TO-236)
Диэлектрический пробой напряжение：40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
Минимальная частота работы в герцах：100
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：-40V
Максимальная потеря мощности：200mW
Моментальный ток：-100mA
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：200mW
Мощность - Макс：200mW
Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 1mA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40V
Частота - Переход：200MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
База (R1)：10 kOhms
Прямоходящий ток коллектора：-100mA
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 8500

1+： $0.06887
10+： $0.06497
100+： $0.06129
500+： $0.05782
1000+： $0.05455

Итого $0.06887

аналогичные продукты

FJV4110RMTF ON Semiconductor
от$0.068868 Со склада 8500
BC858ALT1 ON Semiconductor
Запрос Со склада 19200
FJV4101RMTF ON Semiconductor
от$0.0550683 Со склада 52380
FJV3109RMTF ON Semiconductor
Запрос Со склада 5654
FJV3106RMTF ON Semiconductor
Запрос Со склада 8510

Телефон

FJV4110RMTF