FJV4103RMTF

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Date Sheet

Lagernummer 295

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：30mg
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Минимальная частота работы в герцах：56
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
Максимальная потеря мощности：200mW
Моментальный ток：-100mA
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：200mW
Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：56 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
Частота - Переход：200MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-10V
База (R1)：22 k Ω
Прямоходящий ток коллектора：-100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：22 k Ω
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 295

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FJV4103RMTF ON Semiconductor
Запрос Со склада 295
DDTA124ECA-7-F Diodes Incorporated
Запрос Со склада 2408
DDTA144WCA-7-F Diodes Incorporated
Запрос Со склада 2301
FJV4113RMTF ON Semiconductor
Запрос Со склада 284
FJV4114RMTF ON Semiconductor
Запрос Со склада 230

Телефон

FJV4103RMTF