Главное Discrete Semiconductor Products Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased FJV3103RMTF
Изображение служит лишь для справки
FJV3103RMTF
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Transistors Switching - Resistor Biased 50V/100mA/22K 22K
Date Sheet
Lagernummer 75000
- 1+: $0.17671
- 10+: $0.16671
- 100+: $0.15727
- 500+: $0.14837
- 1000+: $0.13997
Zwischensummenbetrag $0.17671
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов:3
- Вес:30mg
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:300mV
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:56
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2013
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Ток постоянного напряжения - номинальный:50V
- Максимальная потеря мощности:200mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Моментальный ток:100mA
- Основной номер части:FJV3103
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:200mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):50V
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:56 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 500μA, 10mA
- Частота перехода:250MHz
- Максимальное напряжение разрушения:50V
- Частота - Переход:250MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):10V
- База (R1):22 k Ω
- Прямоходящий ток коллектора:100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2):22 k Ω
- Высота:930μm
- Длина:2.92mm
- Ширина:1.3mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 75000
- 1+: $0.17671
- 10+: $0.16671
- 100+: $0.15727
- 500+: $0.14837
- 1000+: $0.13997
Итого $0.17671
аналогичные продукты










