Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
EPC2016
-
EPC
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Die
- TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：Die
- Поставщик упаковки устройства：Die
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.5V @ 3mA
- Рабочая температура：-40°C~125°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：eGaN®
- Опубликовано：2012
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：125°C
- Минимальная температура работы：-40°C
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：16mOhm @ 11A, 5V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：520pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.2nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：+6V, -5V
- Непрерывный ток стока (ID)：11A
- Входной ёмкости：520pF
- Rds на макс.：16 mΩ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
