Изображение служит лишь для справки
NTD65N03RT4G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 43000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:9.5A Ta 32A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:1.3W Ta 50W Tc
- Время отключения:20.3 ns
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2006
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:25V
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:65A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:50W
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:8.4m Ω @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1400pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:16nC @ 5V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):32A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Напряжение пробоя стока к истоку:25V
- Максимальный импульсный ток вывода:130A
- Рейтинг энергии лавины (Eas):71.7 mJ
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 43000
Итого $0.00000
аналогичные продукты










