FDP6670AL

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 21529

1+： $0.71290
10+： $0.67255
100+： $0.63448
500+： $0.59857
1000+： $0.56469

Zwischensummenbetrag $0.71290

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：68W Tc
Время отключения：42 ns
Рабочая температура：-65°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2003
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Завершение：Through Hole
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：68W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.5m Ω @ 40A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2440pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：33nC @ 5V
Время подъема：13ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：15 ns
Непрерывный ток стока (ID)：80A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Двухпитание напряжения：30V
Номинальное Vgs：1.9 V
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 21529

1+： $0.71290
10+： $0.67255
100+： $0.63448
500+： $0.59857
1000+： $0.56469

Итого $0.71290

аналогичные продукты

FDP6670AL ON Semiconductor
от$0.7129044 Со склада 21529
FDP8896 ON Semiconductor
от$1.816364 Со склада 50
IRLB8748PBF Infineon Technologies
от$1.13062 Со склада 15000
NTP90N02G ON Semiconductor
Запрос Со склада 52388
IRF3709ZPBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 38658

Телефон

FDP6670AL