FDP6670AL

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 24198

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-220-3
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Максимальная мощность рассеяния：68W Tc
Время отключения：42 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Пакетирование：Tube
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2003
Рабочая температура：-65°C~175°C TJ
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Завершение：Through Hole
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：68W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.5m Ω @ 40A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2440pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：33nC @ 5V
Время подъема：13ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：15 ns
Непрерывный ток стока (ID)：80A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Двухпитание напряжения：30V
Номинальное Vgs：1.9 V
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 24198

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FDP6670AL ON Semiconductor
Запрос Со склада 24198
FDP8896 ON Semiconductor
Запрос Со склада 19
IRLB8748PBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 15000
NTP90N02G ON Semiconductor
Запрос Со склада 52388
IRF3709ZPBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 38658

Телефон

FDP6670AL