NTD23N03RT4G

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 32365

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.8A Ta 17.1A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V 5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：1.14W Ta 22.3W Tc
Время отключения：9.9 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：25V
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：23A
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：22.3W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：2 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：45m Ω @ 6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：225pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.76nC @ 4.5V
Время подъема：14.9ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：2 ns
Непрерывный ток стока (ID)：23A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：3.8A
Сопротивление открытого канала-макс：0.06Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：25V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 32365

Итого $0.00000

аналогичные продукты

NTD23N03RT4G ON Semiconductor
Запрос Со склада 32365
NTD3055-150T4 ON Semiconductor
Запрос Со склада 19

Телефон

NTD23N03RT4G