NTD5407NG

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 40V 38A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 32365

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：7.6A Ta 38A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：75W Tc
Время отключения：66 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：75W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：26m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1000pF @ 32V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
Время подъема：17ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：51 ns
Непрерывный ток стока (ID)：38A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.026Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：40V
Максимальный импульсный ток вывода：75A
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 32365

Итого $0.00000

аналогичные продукты

NTD5407NG ON Semiconductor
Запрос Со склада 32365
FDD8880 ON Semiconductor
от$1.031878 Со склада 1899
FDD8878 ON Semiconductor
от$0.650656 Со склада 100000
FDD8882 ON Semiconductor
от$0.759033 Со склада 12500
STD86N3LH5 STMicroelectronics
от$1.664684 Со склада 21100

Телефон

NTD5407NG