FDMS8670AS

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-PowerTDFN
MOSFET N-CH 30V 23A POWER56
Date Sheet

Lagernummer 58741

1+： $1.28527
10+： $1.21252
100+： $1.14389
500+： $1.07914
1000+： $1.01805

Zwischensummenbetrag $1.28527

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Количество контактов：8
Поставщик упаковки устройства：8-PQFN (5x6)
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：23A Ta 42A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta 78W Tc
Время отключения：32 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2009
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Распад мощности：2.5W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3mOhm @ 23A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3615pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：55nC @ 10V
Время подъема：5ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：4 ns
Непрерывный ток стока (ID)：23A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Входной ёмкости：3.615nF
Сопротивление стока к истоку：3mOhm
Rds на макс.：3 mΩ
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 58741

1+： $1.28527
10+： $1.21252
100+： $1.14389
500+： $1.07914
1000+： $1.01805

Итого $1.28527

аналогичные продукты

FDMS8670AS ON Semiconductor
от$1.28527 Со склада 58741
FDMS7660 ON Semiconductor
от$1.481446 Со склада 69
BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies
от$0.322672 Со склада 10000
IRF8788TRPBF Infineon Technologies
от$1.123792 Со склада 30000
FDMS8660AS ON Semiconductor
от$1.1321199 Со склада 134048

Телефон

FDMS8670AS