Изображение служит лишь для справки
NTMS4800NR2G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Date Sheet
Lagernummer 6290
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4.9A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:750mW Ta
- Время отключения:21 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:3V @ 250μA
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2008
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:OBSOLETE (Last Updated: 19 hours ago)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:2W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:9.4 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:20m Ω @ 7.5A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:940pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:7.7nC @ 4.5V
- Время подъема:4ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):6.5 ns
- Непрерывный ток стока (ID):6.4A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):8A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.02Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:30V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 6290
Итого $0.00000
аналогичные продукты










