FQB10N20LTM

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 772

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：D2PAK (TO-263AB)
Максимальная мощность рассеяния：3.13W Ta 87W Tc
Время отключения：50 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2V @ 250μA
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：QFET®
Опубликовано：2000
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：200V
Моментальный ток：10A
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：3.13W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：360mOhm @ 5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：830pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 5V
Время подъема：150ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：95 ns
Непрерывный ток стока (ID)：10A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：200V
Входной ёмкости：830pF
Сопротивление стока к истоку：360mOhm
Rds на макс.：360 mΩ
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 772

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FQB10N20LTM ON Semiconductor
Запрос Со склада 772
IRF6215STRLPBF Infineon Technologies
от$1.237187 Со склада 2000
IRF630NSPBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 20

Телефон

FQB10N20LTM