Изображение служит лишь для справки
NTB125N02RT4
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- D2PAK
- MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 12888
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Корпус / Кейс:D2PAK
- Количество контактов:3
- Время отключения:27 ns
- Количество элементов:1
- Опубликовано:2006
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Код JESD-609:e0
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn80Pb20)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Ток постоянного напряжения - номинальный:24V
- Максимальная потеря мощности:1.98W
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):235
- Моментальный ток:125A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:2.72W
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Время подъема:39ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):24V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Время падения (тип):21 ns
- Непрерывный ток стока (ID):120.5A
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):95A
- Напряжение пробоя стока к истоку:24V
- Максимальный импульсный ток вывода:250A
- Входной ёмкости:3.44nF
- Рейтинг энергии лавины (Eas):120 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Сопротивление стока к истоку:3.7mOhm
- Rds на макс.:4.6 mΩ
- REACH SVHC:not_compliant
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 12888
Итого $0.00000
аналогичные продукты










