HUF75645S3S

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 788

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：310W Tc
Время отключения：41 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：UltraFET™
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：75A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：310W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：14m Ω @ 75A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3790pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：238nC @ 20V
Время подъема：117ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：97 ns
Непрерывный ток стока (ID)：75A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：100V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 788

Итого $0.00000

аналогичные продукты

HUF75645S3S ON Semiconductor
Запрос Со склада 788
STB76NF75 STMicroelectronics
от$1.510639 Со склада 8410
IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies
от$4.62346 Со склада 1999
HUFA76645S3S ON Semiconductor
Запрос Со склада 356

Телефон

HUF75645S3S