HUF75637P3

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 100V 44A TO-220AB
Date Sheet

Lagernummer 5611

1+： $0.76161
10+： $0.71850
100+： $0.67783
500+： $0.63946
1000+： $0.60326

Zwischensummenbetrag $0.76161

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поставщик упаковки устройства：TO-220-3
Время отключения：37 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：155W Tc
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：44A Tc
Опубликовано：2002
Серия：UltraFET™
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：175°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Моментальный ток：44A
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：155W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：30mOhm @ 44A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1700pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：108nC @ 20V
Время подъема：75ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：61 ns
Непрерывный ток стока (ID)：44A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：100V
Входной ёмкости：1.7nF
Сопротивление стока к истоку：30mOhm
Rds на макс.：30 mΩ
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 5611

1+： $0.76161
10+： $0.71850
100+： $0.67783
500+： $0.63946
1000+： $0.60326

Итого $0.76161

аналогичные продукты

HUF75637P3 ON Semiconductor
от$0.761607 Со склада 5611
IRF3710PBF Infineon Technologies
от$1.824707 Со склада 120000
IRF540ZPBF Infineon Technologies
от$1.1499 Со склада 32931
BUK7528-100A,127 Nexperia USA Inc.
от$1.2340593 Со склада 4432

Телефон

HUF75637P3