Изображение служит лишь для справки
FCPF650N80Z
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET HV SuperJunction MOS
Date Sheet
Lagernummer 9000
- 1+: $3.90546
- 10+: $3.68439
- 100+: $3.47584
- 500+: $3.27910
- 1000+: $3.09349
Zwischensummenbetrag $3.90546
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3 Full Pack
- Количество контактов:3
- Вес:2.27g
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:8A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:30.5W Tc
- Время отключения:40 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:4.5V @ 800μA
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:SuperFET® II
- Опубликовано:2017
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Время задержки включения:17 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:650m Ω @ 4A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1565pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:35nC @ 10V
- Время подъема:11ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):800V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):3.4 ns
- Непрерывный ток стока (ID):8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):8A
- Высота:16.07mm
- Длина:10.36mm
- Ширина:4.9mm
- REACH SVHC:not_compliant
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 9000
- 1+: $3.90546
- 10+: $3.68439
- 100+: $3.47584
- 500+: $3.27910
- 1000+: $3.09349
Итого $3.90546
аналогичные продукты










