Изображение служит лишь для справки
FQB7N65CTM
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 7726
- 1+: $1.61647
- 10+: $1.52497
- 100+: $1.43865
- 500+: $1.35722
- 1000+: $1.28040
Zwischensummenbetrag $1.61647
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Монтаж:Surface Mount
- Количество контактов:2
- Поставщик упаковки устройства:D2PAK (TO-263AB)
- Максимальная мощность рассеяния:173W Tc
- Время отключения:90 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:4V @ 250μA
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:7A Tc
- Количество элементов:1
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Серия:QFET®
- Опубликовано:2006
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный:650V
- Моментальный ток:7A
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:173W
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.4Ohm @ 3.5A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1245pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:36nC @ 10V
- Время подъема:50ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):650V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Время падения (тип):55 ns
- Непрерывный ток стока (ID):7A
- Пороговое напряжение:4V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30V
- Напряжение пробоя стока к истоку:650V
- Входной ёмкости:1.245nF
- Сопротивление стока к истоку:1.4Ohm
- Rds на макс.:1.4 Ω
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 7726
- 1+: $1.61647
- 10+: $1.52497
- 100+: $1.43865
- 500+: $1.35722
- 1000+: $1.28040
Итого $1.61647
аналогичные продукты










