FDFS6N303

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 103701

1+： $0.39618
10+： $0.37375
100+： $0.35260
500+： $0.33264
1000+： $0.31381

Zwischensummenbetrag $0.39618

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：900mW Ta
Время отключения：13 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
Моментальный ток：6A
Распад мощности：2W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：35m Ω @ 6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：350pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 10V
Время подъема：12ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：6 ns
Непрерывный ток стока (ID)：6A
Пороговое напряжение：1.7V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Характеристика ТРП：Schottky Diode (Isolated)
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 103701

1+： $0.39618
10+： $0.37375
100+： $0.35260
500+： $0.33264
1000+： $0.31381

Итого $0.39618

аналогичные продукты

FDFS6N303 ON Semiconductor
от$0.3961782 Со склада 103701
NTMD6N03R2G ON Semiconductor
от$0.564143 Со склада 360000
FDS6630A ON Semiconductor
от$1.21289 Со склада 36000
FDS6930B ON Semiconductor
от$0.440468 Со склада 38000
IRF9389TRPBF Infineon Technologies
от$0.723705 Со склада 53075

Телефон

FDFS6N303