FDB2670

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
Date Sheet

Lagernummer 4059

1+： $1.52940
10+： $1.44283
100+： $1.36116
500+： $1.28412
1000+： $1.21143

Zwischensummenbetrag $1.52940

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：TO-263AB
Максимальная мощность рассеяния：93W Tc
Количество элементов：1
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Время отключения：26 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：19A Ta
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：-65°C~175°C TJ
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2001
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：175°C
Минимальная температура работы：-65°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：200V
Моментальный ток：19A
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：93W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：130mOhm @ 10A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1320pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：38nC @ 10V
Время подъема：5ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：23 ns
Непрерывный ток стока (ID)：19A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：200V
Входной ёмкости：1.32nF
Сопротивление стока к истоку：130mOhm
Rds на макс.：130 mΩ
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 4059

1+： $1.52940
10+： $1.44283
100+： $1.36116
500+： $1.28412
1000+： $1.21143

Итого $1.52940

аналогичные продукты

FDB2670 ON Semiconductor
от$1.5294033 Со склада 4059
IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies
от$2.187662 Со склада 400
BUZ30AH3045AATMA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 676

Телефон

FDB2670