FDG314P

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
Date Sheet

Lagernummer 83121

1+： $0.19495
10+： $0.18391
100+： $0.17350
500+： $0.16368
1000+： $0.15442

Zwischensummenbetrag $0.19495

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Поставщик упаковки устройства：SC-88 (SC-70-6)
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：750mW Ta
Время отключения：55 ns
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：650mA Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.7V 4.5V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2000
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：-25V
Моментальный ток：-650mA
Распад мощности：750mW
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：63pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.5nC @ 4.5V
Время подъема：8ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：25V
Угол настройки (макс.)：±8V
Время падения (тип)：8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：650mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Напряжение пробоя стока к истоку：-25V
Входной ёмкости：63pF
Сопротивление стока к истоку：1.1Ohm
Rds на макс.：1.1 Ω
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 83121

1+： $0.19495
10+： $0.18391
100+： $0.17350
500+： $0.16368
1000+： $0.15442

Итого $0.19495

аналогичные продукты

FDG314P ON Semiconductor
от$0.194948 Со склада 83121
FDY102PZ ON Semiconductor
от$0.264338 Со склада 9000
FDY4000CZ ON Semiconductor
от$0.243426 Со склада 30000
FDY1002PZ ON Semiconductor
от$0.745377 Со склада 24000

Телефон

FDG314P