FDS6680

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET, N, SO-8
Date Sheet

Lagernummer 10200

1+： $1.26743
10+： $1.19569
100+： $1.12801
500+： $1.06416
1000+： $1.00392

Zwischensummenbetrag $1.26743

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Вес：130mg
Количество элементов：1
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11.5A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta
Время отключения：36 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2011
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Завершение：SMD/SMT
Сопротивление：17mOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
Моментальный ток：11.5A
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2.5W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10m Ω @ 11.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2070pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：27nC @ 5V
Время подъема：10ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：13 ns
Непрерывный ток стока (ID)：11.5A
Пороговое напряжение：1.7V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Двухпитание напряжения：30V
Номинальное Vgs：1.7 V
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 10200

1+： $1.26743
10+： $1.19569
100+： $1.12801
500+： $1.06416
1000+： $1.00392

Итого $1.26743

аналогичные продукты

FDS6680 ON Semiconductor
от$1.267432 Со склада 10200
FDS6680A ON Semiconductor
от$1.227767 Со склада 10200
FDS6682 ON Semiconductor
от$0.733422 Со склада 4000
IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies
от$0.802668 Со склада 2517
FDS6670A ON Semiconductor
от$1.04406 Со склада 494220

Телефон

FDS6680