FDP032N08B-F102

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
Date Sheet

Lagernummer 3000

1+： $3.56010
10+： $3.35858
100+： $3.16847
500+： $2.98913
1000+： $2.81993

Zwischensummenbetrag $3.56010

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：9 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：263W Tc
Время отключения：71 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：PowerTrench®
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения：38 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.3m Ω @ 100A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：10965pF @ 40V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：144nC @ 10V
Время подъема：44ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：80V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：31 ns
Непрерывный ток стока (ID)：120A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 3000

1+： $3.56010
10+： $3.35858
100+： $3.16847
500+： $2.98913
1000+： $2.81993

Итого $3.56010

аналогичные продукты

FDP032N08B-F102 ON Semiconductor
от$3.560098 Со склада 3000
FDP039N08B-F102 ON Semiconductor
от$11.758916 Со склада 26000
IPP120N08S403AKSA1 Infineon Technologies
от$5.859917 Со склада 2500

Телефон

FDP032N08B-F102