FCP125N60E

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP125N60E MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.102 ohm, 10 V, 3.5 VNew
Date Sheet

Lagernummer 1000

1+： $4.47609
10+： $4.22272
100+： $3.98370
500+： $3.75821
1000+： $3.54548

Zwischensummenbetrag $4.47609

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Максимальная мощность рассеяния：278W Tc
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：29A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3.5V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：SuperFET® II
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Конфигурация элемента：Single
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：125m Ω @ 14.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2990pF @ 380V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：95nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：29A
Пороговое напряжение：3.5V
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1000

1+： $4.47609
10+： $4.22272
100+： $3.98370
500+： $3.75821
1000+： $3.54548

Итого $4.47609

аналогичные продукты

FCP125N60E ON Semiconductor
от$4.476085 Со склада 1000
STP35N60DM2 STMicroelectronics
от$4.222704 Со склада 9200
STP43N60DM2 STMicroelectronics
от$5.372555 Со склада 11000
FCP165N60E ON Semiconductor
от$4.288138 Со склада 1600
IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies
от$3.767905 Со склада 1500

Телефон

FCP125N60E